건설안전기사 필기 기출문제복원 (2003-03-16)

1과목: 전기자기학

1. 평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F₁, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F₂라 하면 F₂/F₁는?

(정답률: 66%)

2. 유전율 ε₁, ε₂인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m²]인가? (단, ε₁ > ε₂이다.)

(정답률: 73%)

3. 진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?

0.2N, 반발력
0.2N, 흡인력
0.4N, 반발력
0.4N, 흡인력

(정답률: 81%)

4. Ωㆍsec 와 같은 단위는?

(정답률: 67%)

5. 진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?

4πε₀α
2πε₀α
aε₀α
a

(정답률: 69%)

6. 내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?

(정답률: 58%)

7. 균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?

(정답률: 70%)

8. 60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m²]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10^-2[m²]일 때 유도기전력이 최대값 E_m=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)

195회
220회
395회
440회

(정답률: 72%)

9. 무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρ_L(C/m)이다.)

(정답률: 68%)

10. 0.2C의 점전하가 전계 E=5a_y+a_z(V/m) 및 자속밀도 E=2a_y+5a_z(Wb/m²) 내로 속도 v=2a_x+3a_y(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, a_x, a_y, a_z는 단위 벡터이다.)

2a_x-a_y+3a_z
3a_x-a_y+a_z
a_x+a_y-2a_z
5a_x+a_y-3a_z

(정답률: 67%)

11. 반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10^-19[C]이다.)

6.24×10¹⁷
6.24×10¹⁹
1.28×10²¹
1.28×10²³

(정답률: 57%)

12. 투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ₀와 비투자율 μ_s의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)

χ＞0인 경우 역자성체
χ＜0인 경우 상자성체
μ_s＞1인 경우 비자성체
μ_s＜1인 경우 역자성체

(정답률: 76%)

13. 자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?

E=rotA
rotE=A

(정답률: 74%)

14. 공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. E_y=3×10^-2sinω(x-vt)(V/m), E_z=4×10^-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m²)는?

6.63×10^-6sin²ω(x-vt)
6.63×10^-6cos²ω(x-vt)
6.63×10^-4sinω(x-vt)
6.63×10^-4cosω(x-vt)

(정답률: 42%)

15. 자계의 세기 H=xya_y-xza_z(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m²]인가?

3a_x+5a_y
3a_y+5a_z
5a_x+3a_z
5a_y+3a_z

(정답률: 44%)

16. 회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C₁의 에너지는?

(정답률: 63%)

17. Qℓ=±200πЄ₀×10³(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?

50π×10⁴
50×10³
25×10³
5π×10⁴

(정답률: 58%)

18. 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.

(정답률: 64%)

19. 와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?

단위체적당 와류손의 단위는 W/m³이다.
와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.

(정답률: 47%)

20. 무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?

(정답률: 58%)

2과목: 회로이론

21. 이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?

와류 손실은 약간 있다.
동손, 철손은 약간 있다.
두 코일간의 결합계수가 1이다.
각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.

(정답률: 79%)

22. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?

(정답률: 53%)

23. 회로의 영상 임피던스 Z₀₁은 약 얼마인가?

4.1[Ω]
5.2[Ω]
6.3[Ω]
7.4[Ω]

(정답률: 67%)

24. 다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?

ωM=ωL₂

(정답률: 58%)

25. f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?

1/(S²+2)
1/(S²+4)
1/((S+2)²)
1/((S+4)²)

(정답률: 49%)

26. 한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?

(정답률: 52%)

27. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?

h₁₁
h₂₁
h₁₂
h₂₂

(정답률: 55%)

28. R=8[Ω], X_L=8[Ω], X_C=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?

10[A]
20[A]
30[A]
40[A]

(정답률: 63%)

29. 고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?

m²/n
m/n
n/m
n/m²

(정답률: 63%)

30. 시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?

(정답률: 55%)

31. 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?

중첩의 원리
치환정리
Thevenin의 정리
Norton의 정리

(정답률: 64%)

32. 일 때 e₁+e₂의 실효치는 약 얼마인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

√4400
√3900
√3100
√2900

(정답률: 39%)

33. 그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?

sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
sin항, cos항 모두 있다.
cos항은 없다.
sin항은 없다.

(정답률: 56%)

34. 다음 회로망의 합성 저항은?

6[Ω]
12[Ω]
30[Ω]
50[Ω]

(정답률: 70%)

35. 두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
테브난 정리 → 노튼 정리
전압원 → 전류원
폐로전류 → 절점전류

(정답률: 72%)

36. 기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?

0.5
0.42
0.31
0.22

(정답률: 58%)

37. 회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?

140[W]
320[W]
480[W]
500[W]

(정답률: 49%)

38. RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e^-2배가 되는 시간[s]은?

2RC
RC
C/R
1/RC

(정답률: 58%)

39. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

(정답률: 57%)

40. 100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?

-40π[Var]
-60π[Var]
-120π[Var]
-240π[Var]

(정답률: 76%)

3과목: 전자회로

41. 다음 회로에서 V_CE는 약 몇 [V]인가? (단, β_DC는 100이다.)

(정답률: 68%)

42. 전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?

반가산기 2개, AND 게이트 1개
반가산기 2개, OR 게이트 2개
반가산기 3개, OR 게이트 1개
반가산기 2개, OR 게이트 1개

(정답률: 73%)

43. R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?

R 값을 크게 한다.
R 값을 작게 한다.
C 값을 작게 한다.
L 값을 크게 한다.

(정답률: 57%)

44. QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?

FSK 변조방식의 일종이다.
AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.

(정답률: 62%)

45. 짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?

A급
B급
C급
D급

(정답률: 54%)

46. 이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?

V₀ = 0일 때 (I_B1 + I_B2) / 2
V₀ = ∞일 때 (I_B1 + I_B2) / 2
V₀ = 0일 때 (I_B1 + I_B2)
V₀ = ∞일 때 (I_B1 + I_B2)

(정답률: 57%)

47. 정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?

±40[mV]
±50[mV]
±60[mV]
±70[mV]

(정답률: 70%)

48. 트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?

(정답률: 54%)

49. 압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?

VCO
빈브리지 발진기
수정 발진기
hartley 발진기

(정답률: 67%)

50. 위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?

펄스 발진기로 많이 사용된다.
100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.

(정답률: 54%)

51. 부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.

(정답률: 38%)

52. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

평형 변조회로
전파 정류회로
배전압 정류회로
반파 정류회로

(정답률: 63%)

53. 2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?

FSK 방식
PSK 방식
ASK 방식
QAM 방식

(정답률: 59%)

54. B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?

트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
컬렉터 효율이 높다.

(정답률: 66%)

55. 교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?

클램퍼
제너제한
리미터
체배기

(정답률: 70%)

56. 다음 회로는 어떤 회로인가?

전류귀환 증폭회로
전압귀환 증폭회로
임피던스귀환 증폭회로
어드미턴스귀환 증폭회로

(정답률: 41%)

57. J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?

RS 플립플롭
D 플립플롭
T 플립플롭
RS 마스터 슬레이브 플립플롭

(정답률: 68%)

58. 연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?

주파수 대역폭이 좁다.
입력 임피던스가 낮다.
동상신호제거비가 크다.
온도변화에 따른 드리프트가 크다.

(정답률: 57%)

59. FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?

불순물 농도에 비례한다.
채널 폭의 자승에 비례한다.
캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.

(정답률: 30%)

60. 다음 회로는 β_DC=100이고, R_C=1[kΩ], R_E=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?

1[kΩ]
47[kΩ]
100[kΩ]
470[kΩ]

(정답률: 63%)

4과목: 물리전자공학

61. 페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?

T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
0[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.

(정답률: 50%)

62. 순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
접합부의 저항은 온도와 무관하다.
접합부에는 전압이 생긴다.

(정답률: 63%)

63. 어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?

1270Å
1564Å
2040Å
6615Å

(정답률: 56%)

64. 트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, I_C는 컬렉터 전류, I_B는 베이스 전류, I_CD는 컬렉터 역포화 전류)

(정답률: 50%)

65. 트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?

베이스폭을 좁게 한다.
이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
캐리어의 수명을 길게 한다.
이미터 전류를 크게 한다.

(정답률: 47%)

66. 정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?

확산 전류
드리프트 전류
정공 전류
베이스 전류와 같다.

(정답률: 60%)

67. 금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?

열전자방출
광전자방출
전계방출
저항방출

(정답률: 62%)

68. 터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?

음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
능동소자로서 발진기로 사용한다.

(정답률: 48%)

69. 페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?

고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.

(정답률: 40%)

70. 직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×10²³[개/cm³], e=1.602×10^-19[C])

2.43[μm/s]
4.66[μm/s]
6.43[μm/s]
8.66[μm/s]

(정답률: 42%)

71. PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?

변함이 없다.
좁아진다.
넓어진다.
넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.

(정답률: 68%)

72. 반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?

홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
온도를 증가시키면 저항은 증가한다.

(정답률: 40%)

73. MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?

n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.

(정답률: 54%)

74. 피에조 저항(piezo resistance)은?

압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

(정답률: 64%)

75. 도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?

도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.

(정답률: 59%)

76. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

얼리 현상
항복 현상
열폭주 현상
펀치 스로우 현상

(정답률: 60%)

77. 실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?

불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
정공은 소수 캐리어이다.
진성 반동체이다.

(정답률: 49%)

78. 초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?

초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.

(정답률: 50%)

79. 광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10^-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10^-31[kg], 광속도 c=3×10⁸[m/sec])

2.3×10^-13[m]
2.3×10^-11[m]
1.2×10^-13[m]
1.2×10^-11[m]

(정답률: 46%)

80. 반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?

반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.

(정답률: 48%)

5과목: 전자계산기일반

81. C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?

constant
array
union
pointer

(정답률: 57%)

82. 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

3-주소지정 방식
2-주소지정 방식
1-주소지정 방식
0-주소지정 방식

(정답률: 58%)

83. 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

3-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.

(정답률: 45%)

84. 2진수 (1110.0111)₂를 16진수로 옳게 바꾼 것은?

(7.7)₁₆
(14.14)₁₆
(E.7)₁₆
(E.E)₁₆

(정답률: 77%)

85. 다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?

㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣

(정답률: 45%)

86. 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?

컴파일러 → 로더 → 링커
링커 → 컴파일러 → 로더
링커 → 로더 → 컴파일러
컴파일러 → 링커 → 로더

(정답률: 29%)

87. 10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?

1001
0100
1100
1011

(정답률: 66%)

88. 컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?

LOCK
STOP
IDSEL
TRDY

(정답률: 73%)

89. 그림과 같은 회로의 명칭은?

반가산기
전가산기
전감산기
parity checker

(정답률: 61%)

90. 프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?

상태 레지스터
프로그램 레지스터
스택 포인터
인덱스 레지스터

(정답률: 63%)

91. 서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?

환형 큐(circular queue)
다중 큐(multi queue)
스택(stack)
트리(tree)

(정답률: 71%)

92. 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?

전파 지연신가의 최소화
사용 게이트 수의 최소화
게이트 종류의 다양화
게이트 간 상호변수의 최소화

(정답률: 77%)

93. 16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?

-216 ~ 216
-216-1 ~ 216+1
-215 ~ 215
-215 ~ 215-1

(정답률: 40%)

94. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

dynamic micro-programming
static micro-programming
horizontal micro-programming
vertical micro-programming

(정답률: 47%)

95. 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

벡터 방식에 의한 인터럽트
슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
데이지체인 방법에 의한 인터럽트
폴링 방법에 의한 인터럽트

(정답률: 70%)

96. 메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?

DMA
MIMO
UART
MIPS

(정답률: 62%)

97. 컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?

기계어(machine language)
컴파일러 언어(compiler language)
어셈블리 언어(assembly language)
기호식 언어(symbolic language)

(정답률: 49%)

98. 전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?

MASK ROM
PROM
EEPROM
EPROM

(정답률: 59%)

99. 10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?

00111
00110
11000
11001

(정답률: 69%)

100. CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?

Fetch 상태
Indirect 상태
Execute 상태
Interrupt 상태

(정답률: 50%)